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PHS-memory RAM passend für HP Pavilion All-in-One 24-r100nn

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Avis PHS-memory RAM passend für HP Pavilion All-in-One 24-r100nn
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Caractéristiques PHS-memory RAM passend für HP Pavilion All-in-One 24-r100nn
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PHS-memory PHS-memory RAM passend für HP Pavilion All-in-One 24-r100nn RAM passend für HP Pavilion All-in-One 24-r100nn RAM passend für HP Pavilion All-in-One 24-r100nn Caractéristiques: 16Go RAM | DDR4 | 260 broches DIMM | SO DIMM | 2400MHz PC4-2400T-S | 1,2 volt La mémoire est 100% compatible avec les HP Pavilion All-in-One 24-r100nn. La mémoire a été testée et approuvée pour l'appareil. La mémoire RAM de l'appareil HP Pavilion All-in-One 24-r100nn peut être mise à niveau au maximum 64Go. (1)
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    Kingston Kingston Technology FURY 24GB 8400MT/s DDR5 CL40 CUDIMM Renegade Silver XMP, 24 GB, 1 x 24 GB, DDR5 Technology FURY 24GB 8400MT/s DDR5 CL40 CUDIMM Renegade Silver XMP, 24 GB, 1 x 24 GB, DDR5 Technology FURY 24GB 8400MT/s DDR5 CL40 CUDIMM Renegade Silver XMP, 24 GB, 1 x 24 GB, DDR5 (1)
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    CoreParts CoreParts MicroMemory MicroMemory MicroMemory Fiche d'information : MicroMemory - DDR2 - 2 Go - SO DIMM 200-PIN - 800 MHz / PC2-6400 - sans tampon - non-ECC - pour Dynabook Toshiba Portégé M750, Toshiba Satellite Pro A300, Toshiba Tecra A10, M10, R10 Groupe RAM Fabricant : MicroMemory Art. No. MMT3167/2048 Modèle MicroMemory EAN/UPC 5711045025792 Description du produit : MicroMemory - DDR2 - 2 Go - SO DIMM 200-PIN - sans tampon Type de mémoire RAM Capacité 2 Go Type de mémoire DDR2 SDRAM - SO DIMM 200-PIN Type d'extension spécifique au système Contrôle d'intégrité des données Non-ECC Vitesse 800 MHz (PC2-6400) Caractéristiques de performance Sans tampon Conçu pour Dynabook Toshiba Portégé A600, A600 3G-12, M750, M750 3G-129, M800, R600, R600 -014, Toshiba Satellite Pro A300, L300, L300D, M300, P300, S300, U400, Toshiba Tecra A10, M10, P10, R10, Toshiba Satellite A350, L350, L500D, L550D, M300, M300/J00 Détails généraux Capacité 2 Go Type d'extension Spécifique au système Type de mémoire DRAM Technologie DDR2 SDRAM Facteur de forme (1)
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    Silicon Power Silicon Power SP016GBSFU266X02 Speichermodul GB DDR4 SP016GBSFU266X02 Speichermodul GB DDR4 SP016GBSFU266X02 Speichermodul GB DDR4 Caractéristiques:Traits:- Type de mémoire tamponnée : non enregistrée (non tamponnée)- Cas Latence : 19- Mémoire interne : 16 Go- Disposition de la mémoire (modules X taille) : 1 X 16 Go- Type de mémoire interne : DDR4- Vitesse d'horloge mémoire : 2666 Mhz- Facteur de forme de la mémoire : So-Dimm 260 broches- Tension mémoire : 1,2 V (1)
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    Silicon Power Silicon Power SP004GBSFU266X02 Speichermodul GB DDR4 SP004GBSFU266X02 Speichermodul GB DDR4 SP004GBSFU266X02 Speichermodul GB DDR4 Caractéristiques:Une mise à niveau de la mémoire qui en donne plus :Conçue pour aider votre système à fonctionner plus rapidement et plus facilement, cette série DDR4 SODIMM offre la vitesse de mémoire la plus rapide de l'industrie avec 3200 MT/s. De plus, la technologie DDR4 est jusqu'à deux fois plus rapide que son prédécesseur, la DDR3, offrant plus de bande passante et plus d'efficacité énergétique. Une simple mise à niveau permet des temps de chargement des applications plus rapides, une réactivité accrue et la capacité de gérer facilement des programmes gourmands en données.Plus de mémoire, plus d'économies d'énergie :Plus de mémoire est un remède facile pour un ordinateur lent, mais cela peut également augmenter la dépense énergétique et le stress global sur le matériel du système. En plus d'une mise à niveau des performances, cette série DDR4 SODIMM offre une consommation d'énergie plus intelligente avec une tension inférieure de 1,2 V. Cela réduit la consommation d'énergie par (1)
    Silicon Power SP004GBSFU266X02 Speichermodul GB DDR4
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    • SP004GBSFU266X02 SP004GBSFU266X02
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